所以，以前的芯片封装是这样的，
基本芯片内部结构是这样的
但后来，随着芯片代工艺的提升，芯片越来越复杂，常规的wirebond工艺无法满足需求，因此出现了下来这样的flipchip工艺，单位信号密度得到了显著的提升。
再之后，随着以手机为主移动端的发展，芯片工艺的发展逐渐趋缓，因此重心也部分放在封装工艺的优化。PoP就是其中之一，广泛应用于手机等芯片中。如下图高通骁龙gen1 dieshot
上下4块16bit的DDR 模组，这样四个角的放置主要也是为了PoP设计的最优化
层叠封装( PoP) 的意思是：有一个倒装fp芯片，其顶部有一个芯片一般是存储类的，而下方芯片是控制器，如CPU, 比如方面的高通骁龙芯片，占据顶部芯片焊球之间的位置。架构如下图
典型的PoP应用是在下边有一个CPU，在上面是一个特殊封装的DDR颗粒。
本文介绍的M1 Ultra封装优化，也是基于芯片之间的异构集成。跟上面的思路是类似的。
异构集成目前成为了开发和采用先进封装技术的关键驱动力。
苹果 M1 Ultra 处理器，中间是处理器，由两个MAX芯片粘结而成。
左右两边则是内存芯片，是直接焊到板卡上的。这是苹果的一贯作风，内存或存储芯片都是焊在基板或板子上，对于电子爱好者没有太多的DIY空间。
M1 Ultra 是 Apple 芯片的又一个游戏规则改变者，再次震撼了 PC 行业。通过将两个 M1 Max 芯片与 UltraFusion 封装架构连接起来，我们能够将 Apple 芯片扩展到前所未有的新高度。
根据实际测试，UltraFusion 架构使用的硅中介层的连接密度是任何现有技术的两倍
Apple M1 Ultra 封装通过使用硅桥芯片连接两个相同的处理器，如上图。M1 Max 处理器上有大量未使用的高密度互连区域可实现高速和高带宽桥接。这其中，台积电的集成扇出局部硅互连（InFO-L）技术至关重要，为实现芯片间具体是die之间的互联至关重要。
Si 桥将处理器连接在一起，并实现低电阻、低延迟和高带宽。
TSMC 的INFO-L是什么？
台积电此前宣布推出两种版本的硅桥技术：InFO_LSI 和 CoWoS-L。
两种封装的实现细节对比
苹果M1 Ultra套装，上下是内存颗粒，中间是ultra芯片
图 2. 移除散热器和加强筋后的 Apple M1 Ultra 封装
单个 M1 Max 处理器是一个大于 400 mm的超大芯片，并且其中很大一部分专用于连接到硅桥所需的高密度互连焊盘。
Apple M1 Ultra 包装（剖面图）
图 3. Apple M1 Ultra 封装（横截面图）
中间互联层的细节。
核心中嵌入有芯片，但它们是沟槽电容器芯片。基板本身相当复杂，每侧有九个构建层，通过激光孔连接，并在核心上钻出大孔。
总结起来，M1 ultra的强悍性能来源于超强的芯片设计能力+最先进的代工厂TSMC提供的制造技术及最为先进的芯片封装技术的结合。三者缺一不可，在摩尔定律慢慢艰难的情况下，芯片封装技术得到了更多的关注和技术深度的挖掘。
