杨光荣，物理学家，毕业于中国科学技术大学技术物理半导体专业，2017年获美国名人录终身成就奖 ，曾任美国材料学会、美国前沿科学协会会员。
1964年起在中国科学院半导体研究所从事半导体材料研究，参与半导体温差电致冷材料项目，获中国科学院科学技术进步奖和1978年全国科学大会奖。1985年赴加拿大西安大略大学研究镓砷材料，后转向非晶硅硼合金薄膜。1988年赴美国霍伦尔理工学院主导超大规模集成电路及纳米材料研究，申请多项专利并发表论文百余篇。1998年起多次入选美国名人录 。
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